10月25日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）文书在氧化镓晶体滋长领域赢得了新的技巧突破。该公司基于自主研发的氧化镓专用晶体滋长竖立，并选拔垂直布里奇曼法（VB），告捷滋长出2英寸的氧化镓单晶，这是国内初度终结此项技巧突破。

 2英寸氧化镓单晶（开始：镓仁半导体）

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VB法的上风分析

VB法在氧化镓衬底制造领域展现出权贵上风，正在被群众逾越的氧化镓制造商庸碌选拔。VB法比较传统形式有以下四大上风：

资本上风：VB法无需使用高尚的铱坩埚，资本最多可降至传统滋长形式的1/50。

质料普及：VB法在空气厌烦下滋长单晶，灵验拦截氧化镓的高温领悟，减少因坩埚腐蚀而导致的晶体弱势。

晶体质料：VB法温度梯度较小，减少了因热应力引起的位错，使得晶体质料更高。

自动化与阐发性：VB法不需终结晶体直径，缩小了技巧难度，且具有高阐发性，便于终结自动化终结。

镓仁半导体自研VB竖立的上风

本年9月，镓仁半导体推出了全新的氧化镓专用晶体滋长竖立，不仅大略得志高温存高氧环境的需求，还终结了全自动化的晶体滋长，减少了东说念主工侵犯，大幅普及了坐蓐成果和晶体质料。该竖立支捏多种不同晶面的单晶氧化镓坐蓐，具备从2英寸升级至4英寸单晶的才略，以允洽外延技巧和器件需求的贬抑普及，为高校、科研机构及企业用户提供科研和坐蓐支捏。

突破技巧阻塞，撑捏国度关键需求

镓仁半导体的这一技巧突破，不仅突破了西方国度在氧化镓竖立和材料领域的技巧阻塞，还为我国的关键需求提供了有劲撑捏。公司将捏续立异，奋力于于完善氧化镓产业链，为中国半导体行业的自主发展提供坚实保险。

镓仁半导体暗意，将络续奋力于于氧化镓技巧的研发和行使，为我国在新材料和半导体产业的发展提供高质料的产物和技巧支捏。这一突破对我国半导体产业链的齐备性和自主立异才略具有要紧意念念，为改日的发展奠定了坚实基础。

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（转自：第三代半导体产业）🔥2024欧洲杯(中国区)官网-登录入口

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